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电子元器件详细资料 » IC[25801] » NSBA123JDP6T5G
型号:NSBA123JDP6T5G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-963描述:TRANS DUAL PBRT PNP SOT-963

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS DUAL PBRT PNP SOT-963
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧2222.2k
电阻器_发射极(R2)111欧22247k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大408mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-963
供应商设备封装SOT-963
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市科雨电子有限公司周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!171-4729-9698(微信同号)
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NSBA123JDP6T5G相关型号

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